3 2 2 Образец полупроводникового материала легирован примесью (см

3.2.2
Образец полупроводникового материала легирован примесью (см. предыдущую задачу). Определить удельную проводимость собственного и примесного полупроводника при заданной температуре Т.
Таблица 2.4

Решение задачи 3.2.2.

Собственная проводимость полупроводника:
σi = ni е (μn + μp)
где <Object: word/embeddings/oleObject15.bin> заряд электрона.
Согласно соотношению Энштейна, подвижность электронов и дырок соответственно равна:
<Object: word/embeddings/oleObject16.bin>,
где Dn – коэффициент диффузии электронов.
<Object: word/embeddings/oleObject17.bin>,
где Dp – коэффициент диффузии дырок

Из предыдущей задачи известна концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике: Во-первых, это при 300К, а во-вторых, см. замечания предыдущей задачи.
ni=pi=7,63*1015 м-3
Подставляя значения в формулу, определяем удельную проводимость собственного полупроводника:
n = ni е (μn + μp) = <Object: word/embeddings/oleObject18.bin>

В примесном полупроводнике электропроводность выражается следующей формулой:
n = е (μnn + μpp)

Для электронного полупроводника где n>>p:
n=en<Object: word/embeddings/oleObject19.bin><Object: word/embeddings/oleObject20.bin>

Работа над ошибками:
Собственная проводимость полупроводника:
σi = ni е (μn + μp)
где <Object: word/embeddings/oleObject21.bin> заряд электрона.
Согласно соотношению Эйнштейна, подвижность электронов и дырок соответственно равна:
<Object: word/embeddings/oleObject22.bin>= 3,999*10-3*104*36 *10-4 ≈ 0,144 м2/сек
где Dn – коэффициент диффузии электронов (см. таблицу 2.2).
Dn = 36 см2/сек = 36*(10-2м)2 /сек = 36*10-4 /сек
<Object: word/embeddings/oleObject23.bin>3,999*10-3*104*13*10-4 ≈ 0,052 м2/сек
где Dp – коэффициент диффузии дырок (см. таблицу 2.2).
Dp = 13 см2/сек = 13*(10-2м)2 /сек = 13*10-4 /сек
Необходимо вычислить концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике при T=2900K ( см. алгоритм решения задачи 3.2.1 ).
<Object: word/embeddings/oleObject24.bin>= 1,67*1025*е -22,2 =1,67*1025*2,284*10-10 ≈ 3,81*1015, м-3

Подставляя значения в формулу, определяем удельную проводимость собственного полупроводника:
n = ni е (μn + μp) =3,81*1015*1,6*10-19*(0,144+0,052)= 6,096*10-4 * 0,196 ≈ ≈ 1,195* 10-4, 1/Ом*м

В примесном полупроводнике электропроводность выражается следующей формулой:
n = е (μnn + μpp)

Для электронного полупроводника где n>>p:
n=en<Object: word/embeddings/oleObject25.bin> = 2,304 <Object: word/embeddings/oleObject26.bin>

где: <Object: word/embeddings/oleObject27.bin> заряд электрона,
<Object: word/embeddings/oleObject28.bin> = 1014 см-3 = 1014*(10-2 м)-3 = 1014*106=1020 м-3,
μn = 0,144 м2/сек.

oly271972 4.9

Выполняю дипломные, курсовые, контрольные работы, отчеты по практике любой сложности по дисциплинам: Экономика предприятия, маркетинг, менеджмент, мировая экономика; правовые дисциплины, история, педагогика, туризм. Опыт работы более 17 лет

Нанять автора